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SiC 是目前發展最成熟的寬禁帶半導體材料，近幾年，SiC功率器件（HMDS烘箱）得到越來越多的商業化應用，在光伏、風電、電動汽車及軌道交通等中高功率電力系統應用上具有巨大的優勢。例如電動汽車使用 SiC模塊，其體積減小到原來的五分之一。SiC 肖特基二極管廣泛應用于開關電源、不間斷電源、光伏逆變器等中高功率領域，顯著減少電路損耗，提高工作頻率，減小電感等元件體積，提高系統功率密度。

以 SiC 為代表的寬禁帶半導體功率器件，具有更小的導通電阻、更快的開關速度和更高的阻斷電壓，為電源技術提供了難得的發展機遇，采用寬禁帶半導體器件，可以實現更高的變換效率，更高的功率密度，更高的可靠性。

以 SiC 材料為代表的寬禁帶半導體因其具有高耐壓、低損耗、高效率等優異特性，被視為“理想器件”而備受期待。在攻克 SiC 功率器件后，將轉向實現兆赫茲電源的系列問題，如磁性器件高頻化設計、磁集成技術、高頻大功率電源電磁兼容技術等，由此將帶來電源技術的突破，真正實現高性能、微型化的新一代宇航電源。功率開關器件是推動電源技術跨越式發展的基石，SiC功率器件（HMDS烘箱）的出現將推動電源技術更新換代，再創輝煌，由此將帶來宇航電源技術和產品的全面革新，引領宇航電源技術的發展，實現更小的體積和質量、更優異的性能、更大的功率和更高的可靠性，從而助力整個航天技術的發展。

SiC功率器件（HMDS烘箱）用途：

光刻是半導體制造過程中不可或缺的一部分。它用于描繪代表硅晶片表面特定器件或電路結構的圖案。這些圖案由光刻膠掩模制成，可保護其下方的基板免受后續處理。未受保護表面的物理或電氣特性會被各種類型的工藝步驟改變，例如蝕刻、沉積、離子注入、濺射等。這個循環重復多次，直到完成整個器件。光刻是一個耗時且昂貴的過程。附著力不足通常會導致 PR 翹起、圖案變形，在剝離抗蝕劑后需要再次重復該過程。如果 JS-HMDS90 烘箱蒸汽底漆工藝可以在兩周內消除一次光刻返工工藝，因為與使用涂布機軌道的 HMDS 底漆相比，它們具有優異的附著力，這將為任何晶圓廠節省大量成本和時間。